DLPCA-200 是一款可变增益、低噪声跨阻放大器，可将飞安 (fA) 级微电流转换为稳定的电压信号。它具有 10³ 至 10¹¹ V/A 的宽增益范围和低至 4.3 fA/√Hz 的超低噪声设计，可在任何需要精确电流测量的研究环境中提供可靠的数据。所有这些功能都集成在一个坚固紧凑的 EMI 屏蔽外壳中，该外壳的设计充分考虑了用户需求，即使在非常恶劣和嘈杂的环境中也能保证运行。
技术规格
| Model | DLPCA-200 | |||||||||||||
| Performance Range | Low Noise | High Speed | ||||||||||||
| Transimpedance [V/A] | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 1010 | 1011 |
| Bandwidtd (−3 dB) [kHz] | 500 | 500 | 400 | 200 | 50 | 7 | 1.1 | 500 | 500 | 400 | 200 | 50 | 7 | 1.1 |
| Rise Time (10 % - 90 %) | 700 ns | 700 ns | 900 ns | 1.8 µs | 7 µs | 50 µs | 300 µs | 700 ns | 700 ns | 900 ns | 1.8 µs | 7 µs | 50 µs | 300 µs |
| Equ. Input Noise [/√Hz] | 20 pA | 2.3 pA | 450 fA | 130 fA | 43 fA | 13 fA | 4.3 fA | 13 pA | 1.8 pA | 440 fA | 130 fA | 43 fA | 13 fA | 4.3 fA |
| Accuracy Performance | Gain ±1 %, flatness 0.1 dB | |||||||||||||
| Low Pass Filter | Switchable to 10 Hz | |||||||||||||
| Output | ±10 V, ±30 mA | |||||||||||||
| Bias Voltage | ±10 V, max. 22 mA, connected to shield of BNC input socket, switchable to GND | |||||||||||||
| Power Requirements | ±15 V, +120 mA / −80 mA typ., ±200 mA recommended | |||||||||||||
| Control Interface | 5 opto-isolated digital inputs, TTL/CMOS compatible, analog offset control voltage input | |||||||||||||
| Case | 170 x 60 x 45 mm (L x W x H), Weight 320 g (0.74 lb.) | |||||||||||||
失调可通过微调电位器或外部控制电压调节，具备 LED 过载指示、输入 ±3 kV 瞬态保护、输出短路保护功能，采用 3 针 Lemo® 插座供电并配有配套连接器，可选配 PS-15 电源，详情请查阅产品手册或联系 FEMTO。
应用案例
Single-shot carrier-envelope-phase measurement in ambient air
光电流信号通过两台可变增益电流 - 电压跨阻放大器(DLPCA‑200，FEMTO)进行前置放大，并与两台以激光重复频率触发的门控 Boxcar 积分器(SR250，Stanford Research Systems)进行积分。积分后的信号经由数据采集卡采集并保存，用于后续处理与分析。
Observation of ionic Coulomb blockade in nanopores
纳米孔制备。MoS₂纳米孔采用以下两种方法制备：一种是我们近期报道的、基于可控电化学反应(ECR;参考文献 13)的原子级纳米孔制备技术，另一种是电子辐照法(参考文献 12)。
简要来说，SiNₓ薄膜(尺寸 10 µm×10 µm～50 µm×50 µm，厚度 20 nm)通过 KOH 湿法刻蚀制备。利用聚焦离子束(FIB)辐照在该薄膜上刻蚀出 50–300 nm 的开孔。通过 MoS₂转移平台将 CVD 生长的单层 MoS₂薄膜(参考文献 30)从蓝宝石衬底转移并悬置在 FIB 开孔上。
ECR 实验通过对薄膜施加阶跃式跨膜电位，并使用 FEMTO DLPCA-200 放大器(FEMTO Messtechnik GmbH)监测跨膜离子电流来完成。当电压超过临界值(>0.8 V)时形成纳米孔。
利用像差校正透射电镜(TEM)图像估算孔径的误差为 0.1 nm，通过 ECR 成孔法估算的误差为 0.2 nm(参考文献 13)。
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